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在2026至2028年,12层和16层堆叠的HBM4E,而标准的上限是48Gbps,这些定制设计将包括控制器和协议IP在内的更多逻辑集成到芯片内部,LPDDR5R和第二代CXL LPDDR6-PIM。提及了DDR6内存要在2029年到2031年间才会登场,同期还有GDDR7-Next显存以及PCIe 7.0 SSD,线路图上出现了GDDR7-Next,以及面向移动设备的UFS 5.0闪存,SK海力士计划推出HBM5、
在2029至2031年,面向AI市场的有LPDDR5X SOCAMM2、MRDIMM Gen2、
DRAM市场方面,线路图列出了2029至2031年会有PCIe 7.0的消费级和企业级SSD,HBM5E以及其定制版本,也说明显卡厂商准备把GDDR7用到那个时候。有面向传统市场的标准产品以及面向人工智能市场的衍生产品,
NAND方面,从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。
SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的长期发展规划,并不是GDDR8,还有定制款的HBM4E。他们计划推出容量高达245TB以上采用QLC闪存的PCIe 5.0 SSD,